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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12308
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| 題名: | 矽基深蝕刻之參數探討 |
| 作者: | 莊皓安;簡毓蒼;吳億麟;李智淵;林義成 |
| 貢獻者: | 機電工程系 |
| 關鍵詞: | 微蝕刻;田口實驗;最佳參數 |
| 日期: | 2005-11
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| 上傳時間: | 2012-07-05T07:13:15Z
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| 出版者: | 中國機械工程學會; 國立中央大學 |
| 摘要: | 本研究的重點是在於ICP-RIE(InductiveCoupled-Plasma Reactive-Ion-Etching)系統中找出最佳參數，主要調變參數為電源功率及SF6氣體壓力。在可接受的蝕刻結果條件下，已知電源功率的參數下我們估量SF6氣體壓力，所得到的結果是可接受的。我們選擇田口實驗來找出其最佳蝕刻參數以達到最好的蝕刻品質。在已知的電源功率和SF6氣體壓力製程條件下，評估基板溫度、偏壓、氣體循環時間及C4F8流量速率四個參數，達到可接受微蝕刻結果。 |
| 關聯: | 第 22 屆機械工程學會全國學術研討會, 國立中央大學 , 2005年11月25-26日 |
| 顯示於類別: | [機電工程學系] 會議論文
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