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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12308

Title: 矽基深蝕刻之參數探討
Authors: 莊皓安;簡毓蒼;吳億麟;李智淵;林義成
Contributors: 機電工程系
Keywords: 微蝕刻;田口實驗;最佳參數
Date: 2005-11
Issue Date: 2012-07-05T07:13:15Z
Publisher: 中國機械工程學會; 國立中央大學
Abstract: 本研究的重點是在於ICP-RIE(InductiveCoupled-Plasma Reactive-Ion-Etching)系統中找出最佳參數,主要調變參數為電源功率及SF6氣體壓力。在可接受的蝕刻結果條件下,已知電源功率的參數下我們估量SF6氣體壓力,所得到的結果是可接受的。我們選擇田口實驗來找出其最佳蝕刻參數以達到最好的蝕刻品質。在已知的電源功率和SF6氣體壓力製程條件下,評估基板溫度、偏壓、氣體循環時間及C4F8流量速率四個參數,達到可接受微蝕刻結果。
Relation: 第 22 屆機械工程學會全國學術研討會, 國立中央大學 , 2005年11月25-26日
Appears in Collections:[機電工程學系] 會議論文

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