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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12327

Title: 塑膠基板沉積SiO2薄膜製程參數與介面層設計最佳化之研究
The Study of Deposited SiO/Sub 2/ Thin Film Processing Parameter and Interface Layer Optimum Design for Plastic Substrate
Authors: 林義成;鄭江河
Contributors: 機電工程系
Keywords: RF 磁控濺鍍;二氧化矽;塑膠基板;薄膜應力
Date: 2005-07
Issue Date: 2012-07-05T07:22:45Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: 本研究主要利用RF 磁控濺鍍法在塑膠基板沈積二氧化矽薄膜,以作為後續製作薄膜電晶體阻絕層之用,藉由濺鍍製程參數的控制,對不同材質塑膠基板(PET、PES、PMMA)沈積SiO2 薄膜。在於薄膜沈積品質評估方面,利用SEM 檢驗薄膜微結構、膜厚測定儀量測薄膜厚度、AFM 掃瞄薄膜表面形貌、X-Ray 分析薄膜成分;在於薄膜機能評估方面,分別利用透水測試與百格試驗判斷薄膜水氣阻絕率及吸附性能,藉由上述實驗來確認製程參數對於二氧化矽薄膜特性的影響。另外,對於濺鍍期間可能引發塑膠基板熱變形現象,將利用有限元素法模擬基板在於沈積階段可能蓄積之應力與變形趨勢,並配合光彈實驗結果來預測可能發生的基板變形缺陷,以對二氧化矽沈積厚度進行最佳化設計。本計畫預計完成下列成果:不同塑膠基板材料磁控濺鍍二氧化矽薄膜最佳製程參數設計、二氧化矽薄膜應力有限元素分析最佳化設計、二氧化矽薄膜應力光彈實驗數據解析與修正。
Relation: 計畫編號:NSC93-2212-E018-002; 研究期間:2004/08-2005/07
Appears in Collections:[機電工程學系] 國科會計畫

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