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| 題名: | 三元氮化物能帶結構之模擬與分析 |
| 作者: | 林文偉;郭艷光 |
| 貢獻者: | 物理學系 |
| 日期: | 2002-06
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| 上傳時間: | 2012-07-19T01:46:27Z
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| 出版者: | 中華民國物理學會 |
| 摘要: | 三五族氮化物半導體在最近已被廣泛的研究，並且應用在可見光與紫外線的發光元件上。但是，到目前為止氮化鋁鎵銦相關的物理卻仍有相當的研究空間，其中，與發光波長直接關聯的材料能帶間隙，以及其對應的彎曲係數，更是眾說紛紜莫衷一是。因此，我們使用國科會高速電腦中心所提供的CASTEP模擬軟體，來研究各種三元氮化物的能帶結構，並且探討其對應之彎曲係數值。由於目前大多數氮化鋁鎵銦發光二極體以及雷射二極體都是在藍寶石基板上磊晶，本文主要探討的對象為wurtzite結構的InxGa1-xN、AlxGa1-xN、與AlxIn1-xN，模擬結果顯示這三種三元氮化物對應之彎曲係數值分別為1.210 eV、0.353 eV、與3.326 eV。 |
| 關聯: | 物理雙月刊, 24(3): 471-479 |
| 顯示於類別: | [物理學系] 期刊論文
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