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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12443

Title: 藍光氮化銦鎵量子井雷射之電子溢流現象與電洞不均勻性探討
Authors: 張誌原;郭艷光
Contributors: 物理學系
Keywords: 藍光氮化銦鎵量子井雷射;電子溢流;電洞
Date: 2002-12
Issue Date: 2012-07-19T01:46:36Z
Publisher: 中華民國物理學會
Abstract: 本篇論文利用Lastip模擬軟體來探討藍光氮化銦鎵量子井雷射(發光波長462 nm)之電子溢
流與活性區之電洞分佈不均勻現象。結果發現在室溫下電子溢流的現象就相當明顯,而且隨著溫
度的上升越來越嚴重。這種現象的產生不只影響發光效率,也會大幅降低元件的使用壽命。為了
改善此一現象,我們試著去增加p型薄膜的摻雜濃度以及加入一氮化鋁鎵阻礙層,結果發現兩者
都能有效的降低電子溢流的程度。除了電子溢流之外,我們也發現在氮化銦鎵量子井元件的活性
區中存在著嚴重的電洞分佈不均勻現象,使得單一量子井雷射的效能遠優於多量子井雷射的效
能。模擬結果顯示,在量子井旁的barrier層進行電洞摻雜能有效的改善此一現象,並因此而促進
元件的雷射效能。
Relation: 物理雙月刊, 24(6): 789-800
Appears in Collections:[物理學系] 期刊論文

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