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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12443
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| Title: | 藍光氮化銦鎵量子井雷射之電子溢流現象與電洞不均勻性探討 |
| Authors: | 張誌原;郭艷光 |
| Contributors: | 物理學系 |
| Keywords: | 藍光氮化銦鎵量子井雷射;電子溢流;電洞 |
| Date: | 2002-12
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| Issue Date: | 2012-07-19T01:46:36Z
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| Publisher: | 中華民國物理學會 |
| Abstract: | 本篇論文利用Lastip模擬軟體來探討藍光氮化銦鎵量子井雷射（發光波長462 nm）之電子溢
流與活性區之電洞分佈不均勻現象。結果發現在室溫下電子溢流的現象就相當明顯，而且隨著溫
度的上升越來越嚴重。這種現象的產生不只影響發光效率，也會大幅降低元件的使用壽命。為了
改善此一現象，我們試著去增加p型薄膜的摻雜濃度以及加入一氮化鋁鎵阻礙層，結果發現兩者
都能有效的降低電子溢流的程度。除了電子溢流之外，我們也發現在氮化銦鎵量子井元件的活性
區中存在著嚴重的電洞分佈不均勻現象，使得單一量子井雷射的效能遠優於多量子井雷射的效
能。模擬結果顯示，在量子井旁的barrier層進行電洞摻雜能有效的改善此一現象，並因此而促進
元件的雷射效能。 |
| Relation: | 物理雙月刊, 24(6): 789-800 |
| Appears in Collections: | [物理學系] 期刊論文
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