National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/12443
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 6507/11669
造访人次 : 30033194      在线人数 : 557
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12443

题名: 藍光氮化銦鎵量子井雷射之電子溢流現象與電洞不均勻性探討
作者: 張誌原;郭艷光
贡献者: 物理學系
关键词: 藍光氮化銦鎵量子井雷射;電子溢流;電洞
日期: 2002-12
上传时间: 2012-07-19T01:46:36Z
出版者: 中華民國物理學會
摘要: 本篇論文利用Lastip模擬軟體來探討藍光氮化銦鎵量子井雷射(發光波長462 nm)之電子溢
流與活性區之電洞分佈不均勻現象。結果發現在室溫下電子溢流的現象就相當明顯,而且隨著溫
度的上升越來越嚴重。這種現象的產生不只影響發光效率,也會大幅降低元件的使用壽命。為了
改善此一現象,我們試著去增加p型薄膜的摻雜濃度以及加入一氮化鋁鎵阻礙層,結果發現兩者
都能有效的降低電子溢流的程度。除了電子溢流之外,我們也發現在氮化銦鎵量子井元件的活性
區中存在著嚴重的電洞分佈不均勻現象,使得單一量子井雷射的效能遠優於多量子井雷射的效
能。模擬結果顯示,在量子井旁的barrier層進行電洞摻雜能有效的改善此一現象,並因此而促進
元件的雷射效能。
關聯: 物理雙月刊, 24(6): 789-800
显示于类别:[物理學系] 期刊論文

文件中的档案:

档案 大小格式浏览次数
index.html0KbHTML569检视/开启


在NCUEIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 


DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈