資料載入中.....
|
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12449
|
題名: | Zincblende結構三元氮化物的能帶模擬與分析 |
作者: | 林文偉;郭艷光;劉柏挺 |
貢獻者: | 物理學系 |
關鍵詞: | 光電半導體材料;Zincblende結構三元氮化物 |
日期: | 2003-08
|
上傳時間: | 2012-07-19T01:46:45Z
|
出版者: | 中華民國物理學會 |
摘要: | 本文使用CASTEP 模擬軟體來計算zincblende 結構三元氮化物的能帶,並從能帶間隙的分析 進而探討三元氮化物的材料特性。模擬結果顯示,InxGa1-xN 為直接能隙材料,其直接能隙的彎曲 係數b = 1.379 eV,而間接能隙的b = 1.672 eV。AlxGa1-xN 在Al 濃度小於0.571 時為直接能隙 材料,而Al 濃度大於0.571 時為間接能隙材;直接能隙的彎曲係數b = 0.755 eV,而間接能隙b = 0.296 eV。AlxIn1-xN 在Al 濃度小於0.244 時為直接能隙材料,而Al 濃度大於0.244 時為間接 能隙材料;直接能隙的彎曲係數b = 2.729 eV,而間接能隙b = 3.624 eV。此外,上述三種三元 氮化物的上價電帶厚度皆比下價電帶厚度大,而下價電帶厚度受Al 濃度的影響較為顯著。 |
關聯: | 物理雙月刊, 25(4): 582-591 |
顯示於類別: | [物理學系] 期刊論文
|
文件中的檔案:
檔案 |
大小 | 格式 | 瀏覽次數 |
index.html | 0Kb | HTML | 626 | 檢視/開啟 |
|
在NCUEIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
|