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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12449
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| Title: | Zincblende結構三元氮化物的能帶模擬與分析 |
| Authors: | 林文偉;郭艷光;劉柏挺 |
| Contributors: | 物理學系 |
| Keywords: | 光電半導體材料;Zincblende結構三元氮化物 |
| Date: | 2003-08
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| Issue Date: | 2012-07-19T01:46:45Z
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| Publisher: | 中華民國物理學會 |
| Abstract: | 本文使用CASTEP 模擬軟體來計算zincblende 結構三元氮化物的能帶，並從能帶間隙的分析
進而探討三元氮化物的材料特性。模擬結果顯示，InxGa1-xN 為直接能隙材料，其直接能隙的彎曲
係數b = 1.379 eV，而間接能隙的b = 1.672 eV。AlxGa1-xN 在Al 濃度小於0.571 時為直接能隙
材料，而Al 濃度大於0.571 時為間接能隙材；直接能隙的彎曲係數b = 0.755 eV，而間接能隙b
= 0.296 eV。AlxIn1-xN 在Al 濃度小於0.244 時為直接能隙材料，而Al 濃度大於0.244 時為間接
能隙材料；直接能隙的彎曲係數b = 2.729 eV，而間接能隙b = 3.624 eV。此外，上述三種三元
氮化物的上價電帶厚度皆比下價電帶厚度大，而下價電帶厚度受Al 濃度的影響較為顯著。 |
| Relation: | 物理雙月刊, 25(4): 582-591 |
| Appears in Collections: | [物理學系] 期刊論文
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