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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12450

Title: Band-offset ratio對分析藍紫光氮化銦鎵量子井雷射特性之影響
Authors: 顏勝宏;林正洋;陳美玲;劉柏挺;郭艷光
Contributors: 物理學系
Date: 2003-10
Issue Date: 2012-07-19T01:46:47Z
Publisher: 中華民國物理學會
Abstract: Band-offset ratio 在分析氮化銦鎵量子井雷射元件的特性上,是一個很重要的參數。本文以
早期最常被使用的比值3:7,與最近被多數人認同的比值7:3,來探討不同band-offset ratio
在分析藍紫光氮化銦鎵量子井雷射特性上的差異。研究內容包括電子溢流、受激再結合速率、以及
電子與電洞濃度分佈等,並且探討量子井個數與臨界電流的關係。研究結果顯示,多量子井結構在
較長發光波長時,比值7:3 的電子濃度分佈不均勻;而比值3:7 的電洞濃度分佈極不均勻。此外,
當比值為3:7 時,波長小於426 nm 的量子井結構以雙量子井的臨界電流較小;當波長大於426 nm
時,則是以單量子井的臨界電流為最小。另一方面,當比值為7:3 時,分界點則移至450 nm 左右。
Relation: 物理雙月刊, 25(5): 740-752
Appears in Collections:[物理學系] 期刊論文

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