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| 題名: | Band-offset ratio對分析藍紫光氮化銦鎵量子井雷射特性之影響 |
| 作者: | 顏勝宏;林正洋;陳美玲;劉柏挺;郭艷光 |
| 貢獻者: | 物理學系 |
| 日期: | 2003-10
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| 上傳時間: | 2012-07-19T01:46:47Z
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| 出版者: | 中華民國物理學會 |
| 摘要: | Band-offset ratio 在分析氮化銦鎵量子井雷射元件的特性上，是一個很重要的參數。本文以
早期最常被使用的比值3：7，與最近被多數人認同的比值7：3，來探討不同band-offset ratio
在分析藍紫光氮化銦鎵量子井雷射特性上的差異。研究內容包括電子溢流、受激再結合速率、以及
電子與電洞濃度分佈等，並且探討量子井個數與臨界電流的關係。研究結果顯示，多量子井結構在
較長發光波長時，比值7：3 的電子濃度分佈不均勻；而比值3：7 的電洞濃度分佈極不均勻。此外，
當比值為3：7 時，波長小於426 nm 的量子井結構以雙量子井的臨界電流較小；當波長大於426 nm
時，則是以單量子井的臨界電流為最小。另一方面，當比值為7：3 時，分界點則移至450 nm 左右。 |
| 關聯: | 物理雙月刊, 25(5): 740-752 |
| 顯示於類別: | [物理學系] 期刊論文
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