National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/12503
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題名: 以砷化銦鎵做活性層對850 nm面射型半導體雷射性能的影響
作者: 張郁妮;郭艷光;黃滿芳
貢獻者: 物理學系
關鍵詞: 面射型雷射;VCSEL;AlGaAs;InGaAs;活性層;量子井;DBR
日期: 2001
上傳時間: 2012-07-19T01:47:59Z
摘要: 本文主要是以數值模擬的方式，來探討以In0.1Ga0.9As/Al0.35Ga0.65As做為850 nm面射型半導體雷射(VCSEL)的活性層對雷射性能的影響，我們使用相同材料的DBR及spacer，單純比較In0.1Ga0.9As/Al0.35Ga0.65As與GaAs/Al0.35Ga0.65As這兩種不同活性層與雷射性能間的關係，結果發現以In0.1Ga0.9As/Al0.35Ga0.65As做為活性層的雷射性能明顯優於傳統以GaAs/Al0.35Ga0.65As做為活性層的雷射。
關聯: 2001年台灣光電科技研討會, paper P28, OPT’01 Proceedings: 956-958
顯示於類別:[物理學系] 會議論文

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