National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/12508
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題名: III-Ⅴ族氮化鋁銦之能帶結構探討
作者: 林文偉;郭艷光
貢獻者: 物理學系
關鍵詞: AlInN;Bowing parameter;Theoretical simulation;Band-gap energy;Lattice constant
日期: 2001
上傳時間: 2012-07-19T01:48:05Z
摘要: Ⅲ-nitride在最近已被廣泛的研究與應用在藍光的發光元件，但是目前多數人所著重的是在三元的InGaN與AlGaN，另一三元化合物AlInN卻較少受到注意。其實AlInN的發光波長範圍也就是其能帶間隙能夠有很大的調變性，晶格同樣也具有較廣範圍，所以也能與元件有較好的晶格匹配。因此我們採用理論的模擬軟體來計算一些原始的材料特性，將材料由最原始的原子排列組成，進而算出AlxIn1-xN相對的band-gap energy 及bowing parameter (b)值。我們的模擬結果顯示：理論上wurtzite晶格的本質性 AlxIn1-xN (0≦x≦1)材料有很明顯的bowing現象，其bowing parameter值為：b = 3.326 (eV)。
關聯: 2001年台灣光電科技研討會, paper P2, OPT’01 Proceedings: 868-871
顯示於類別:[物理學系] 會議論文

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