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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12552

Title: 使用可飽和吸收體Ho:YVO4於2-μm Tm:Y3Al5O12 雷射系統的性能分析
Authors: 張詒安;張志康;郭艷光
Contributors: 物理學系
Date: 2002
Issue Date: 2012-07-19T01:49:07Z
Abstract: 可飽和吸收體Ho:YVO4 使用於Tm:Y3Al5O12 雷射上,必須在雷射共振腔內額外加入
一聚焦透鏡,以提高雷射光束於雷射晶棒與可飽和吸收體上的有效截面積比值;有關於此
一方面研究已由Kuo 等人在實驗上得到驗證,在本論文中我們利用理論模擬方式得到與實
驗所得之第一個雷射脈衝輸出能量與脈衝寬度相當吻合的結果,同時也探討系統各項參數
對此一雷射系統之輸出效能的影響,其中參數包含可飽和吸收體基態電子數、系統激發功
率、輸出耦合鏡反射率等。模擬結果顯示,當可飽和吸收體基態有較多電子存在、系統激
發功率較高、以及輸出耦合鏡反射率較低時,第一個雷射脈衝有較高的能量輸出。
Relation: 2002年台灣光電科技研討會, paper TG2-8, OPT’02 Proceedings I: 343-345
Appears in Collections:[物理學系] 會議論文

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