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| 題名: | 使用可飽和吸收體Ho:YVO4於2-μm Tm:Y3Al5O12 雷射系統的性能分析 |
| 作者: | 張詒安;張志康;郭艷光 |
| 貢獻者: | 物理學系 |
| 日期: | 2002
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| 上傳時間: | 2012-07-19T01:49:07Z
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| 摘要: | 可飽和吸收體Ho:YVO4 使用於Tm:Y3Al5O12 雷射上，必須在雷射共振腔內額外加入
一聚焦透鏡，以提高雷射光束於雷射晶棒與可飽和吸收體上的有效截面積比值；有關於此
一方面研究已由Kuo 等人在實驗上得到驗證，在本論文中我們利用理論模擬方式得到與實
驗所得之第一個雷射脈衝輸出能量與脈衝寬度相當吻合的結果，同時也探討系統各項參數
對此一雷射系統之輸出效能的影響，其中參數包含可飽和吸收體基態電子數、系統激發功
率、輸出耦合鏡反射率等。模擬結果顯示，當可飽和吸收體基態有較多電子存在、系統激
發功率較高、以及輸出耦合鏡反射率較低時，第一個雷射脈衝有較高的能量輸出。 |
| 關聯: | 2002年台灣光電科技研討會, paper TG2-8, OPT’02 Proceedings I: 343-345 |
| 顯示於類別: | [物理學系] 會議論文
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