資料載入中.....
|
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12578
|
題名: | 應力與氧化層結構對磷化鋁鎵銦650 nm面射型雷射的影響 |
作者: | 陳俊榮;屠嫚琳;朱漢義;郭艷光;劉柏挺 |
貢獻者: | 物理學系 |
日期: | 2003
|
上傳時間: | 2012-07-19T01:49:39Z
|
摘要: | 本文探討應力與氧化層結構,對適用於中短程光纖通信的磷化鋁鎵銦650 nm面射型雷射特性的影響。研究結果顯示,在量子井中使用+0.33%的壓縮應力之雷射結構,具有最低的臨界電流2.64 mA。如果進一步在p-DBR與n-DBR加入氧化層的設計,其臨界電流可以再降至1.05 mA。 |
關聯: | 2003年台灣光電科技研討會, paper PA2-17, OPT’03 Proceedings III: 110-112 |
顯示於類別: | [物理學系] 會議論文
|
文件中的檔案:
檔案 |
大小 | 格式 | 瀏覽次數 |
index.html | 0Kb | HTML | 471 | 檢視/開啟 |
|
在NCUEIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
|