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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12578
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| Title: | 應力與氧化層結構對磷化鋁鎵銦650 nm面射型雷射的影響 |
| Authors: | 陳俊榮;屠嫚琳;朱漢義;郭艷光;劉柏挺 |
| Contributors: | 物理學系 |
| Date: | 2003
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| Issue Date: | 2012-07-19T01:49:39Z
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| Abstract: | 本文探討應力與氧化層結構，對適用於中短程光纖通信的磷化鋁鎵銦650 nm面射型雷射特性的影響。研究結果顯示，在量子井中使用+0.33%的壓縮應力之雷射結構，具有最低的臨界電流2.64 mA。如果進一步在p-DBR與n-DBR加入氧化層的設計，其臨界電流可以再降至1.05 mA。 |
| Relation: | 2003年台灣光電科技研討會, paper PA2-17, OPT’03 Proceedings III: 110-112 |
| Appears in Collections: | [物理學系] 會議論文
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