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題名: | 極短波長紫外光發光二極體之模擬與分析 |
作者: | 陳柏君;顏勝宏;郭艷光 |
貢獻者: | 物理學系 |
關鍵詞: | 發光二極體;紫外光;數值模擬 |
日期: | 2004
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上傳時間: | 2012-07-19T01:49:48Z
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摘要: | 本文探討267 nm 極短波長紫外光發光二極體單 量子井結構之效能與發光特性。首先以接面之極化電 荷為自由參數,並調整此參數與實驗比對,當使用極 化電荷為理論值之20%時,模擬所得之發光功率與注 入電流之比值為0.44 μW/mA,與實驗值0.48 μW/mA 相近。當結構由極化電荷為零增加至20%時,由於內 部感應電場造成能帶彎曲,此一現象在氮化物材料的 發展過程一直扮演著相當重要的角色。此一效應會造 成能帶間隙的縮減使得發光波長產生紅位移現象。本 研究中發光波長即由268.2 nm 增加至269.5 nm。接著 探討不同量子井數目對發光效能之影響。結果顯示, 單量子井結構具有最佳的發光效能。同時調整靠近 p-type Barrier 之厚度為3 nm 時,元件具有最高的發光 效率0.47 μW/mA。 |
關聯: | 2004應用科技研討會(國立高雄應用科技大學), paper PD01 |
顯示於類別: | [物理學系] 會議論文
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