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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12586
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題名: | InGaAsN量子井雷射之模擬與分析 |
作者: | 陳秀芬;傅少甫;郭艷光 |
貢獻者: | 物理學系 |
關鍵詞: | 半導體雷射;InGaAsN;數值模擬 |
日期: | 2004
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上傳時間: | 2012-07-19T01:49:49Z
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摘要: | InGaAsN 為近年來新崛起的長程光纖通訊用光 源材料,本文利用LASTIP 模擬軟體對InGaAsN 1.3 μm 側射型雷射之發光特性做探討與分析。我們在初 始結構的量子井兩旁加入barrier,並改變barrier 的N 含量來控制舒張應力,從模擬結果可以觀察到元件的 效能因此改變。我們從元件的各項物理特性中,探討 barrier 的N 含量使效能改變的原因,並找出barrier 中 N 含量的最佳值。 |
關聯: | 2004第一屆應用科技研討會(國立高雄應用科技大學), paper QD02 |
顯示於類別: | [物理學系] 會議論文
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