English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 6498/11670
Visitors : 25661387      Online Users : 106
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Adv. Search
LoginUploadHelpAboutAdminister

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12586

Title: InGaAsN量子井雷射之模擬與分析
Authors: 陳秀芬;傅少甫;郭艷光
Contributors: 物理學系
Keywords: 半導體雷射;InGaAsN;數值模擬
Date: 2004
Issue Date: 2012-07-19T01:49:49Z
Abstract: InGaAsN 為近年來新崛起的長程光纖通訊用光
源材料,本文利用LASTIP 模擬軟體對InGaAsN 1.3
μm 側射型雷射之發光特性做探討與分析。我們在初
始結構的量子井兩旁加入barrier,並改變barrier 的N
含量來控制舒張應力,從模擬結果可以觀察到元件的
效能因此改變。我們從元件的各項物理特性中,探討
barrier 的N 含量使效能改變的原因,並找出barrier 中
N 含量的最佳值。
Relation: 2004第一屆應用科技研討會(國立高雄應用科技大學), paper QD02
Appears in Collections:[物理學系] 會議論文

Files in This Item:

File SizeFormat
index.html0KbHTML347View/Open


All items in NCUEIR are protected by copyright, with all rights reserved.

 


DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback