National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/12586
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Title: InGaAsN量子井雷射之模擬與分析
Authors: 陳秀芬;傅少甫;郭艷光
Contributors: 物理學系
Keywords: 半導體雷射;InGaAsN;數值模擬
Date: 2004
Issue Date: 2012-07-19T01:49:49Z
Abstract: InGaAsN 為近年來新崛起的長程光纖通訊用光
源材料，本文利用LASTIP 模擬軟體對InGaAsN 1.3
μm 側射型雷射之發光特性做探討與分析。我們在初
始結構的量子井兩旁加入barrier，並改變barrier 的N
含量來控制舒張應力，從模擬結果可以觀察到元件的
效能因此改變。我們從元件的各項物理特性中，探討
barrier 的N 含量使效能改變的原因，並找出barrier 中
N 含量的最佳值。
Relation: 2004第一屆應用科技研討會(國立高雄應用科技大學), paper QD02
Appears in Collections:[Department of Physics] Proceedings

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