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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12587

Title: 紫外光發光二極體之模擬與分析
Authors: 黃清白;顏勝宏;郭艷光
Contributors: 物理學系
Keywords: 發光二極體;紫外光;數值模擬
Date: 2004
Issue Date: 2012-07-19T01:49:51Z
Abstract: 本文使用APSYS 模擬軟體探討370-nm InGaN/GaN 量子井結構紫外光發光二極體之發光與載
子侷限特性。由於壓電效應之作用,增加量子井個數導致電洞於量子井中分佈極不均勻,因此使得單量
子井結構於低電流時具有最佳的發光效率。接著變化鄰近p-type barrier 之厚度,當厚度為12 nm 時具有
最佳的發光效率1.97 μW/mA。最後探討元件在不同操作溫度下之發光效率,當溫度由260 K 變化至320
K,發光效率由2.48 μW/mA 衰減至1.65 μW/mA。
Relation: 2004年台灣光電科技研討會, paper PA-SA1-34
Appears in Collections:[物理學系] 會議論文

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