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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12587
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| 題名: | 紫外光發光二極體之模擬與分析 |
| 作者: | 黃清白;顏勝宏;郭艷光 |
| 貢獻者: | 物理學系 |
| 關鍵詞: | 發光二極體;紫外光;數值模擬 |
| 日期: | 2004
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| 上傳時間: | 2012-07-19T01:49:51Z
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| 摘要: | 本文使用APSYS 模擬軟體探討370-nm InGaN/GaN 量子井結構紫外光發光二極體之發光與載
子侷限特性。由於壓電效應之作用，增加量子井個數導致電洞於量子井中分佈極不均勻，因此使得單量
子井結構於低電流時具有最佳的發光效率。接著變化鄰近p-type barrier 之厚度，當厚度為12 nm 時具有
最佳的發光效率1.97 μW/mA。最後探討元件在不同操作溫度下之發光效率，當溫度由260 K 變化至320
K，發光效率由2.48 μW/mA 衰減至1.65 μW/mA。 |
| 關聯: | 2004年台灣光電科技研討會, paper PA-SA1-34 |
| 顯示於類別: | [物理學系] 會議論文
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