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題名: 電子阻礙層對1.55-μm AlGaInAs-InP量子井雷射性能之影響
作者: 謝尚衛;姚銘偉;郭艷光
貢獻者: 物理學系
關鍵詞: AlGaInAs 量子井雷射;半導體雷射;電子阻礙層;數值模擬
日期: 2004
上傳時間: 2012-07-19T01:49:53Z
摘要: 本文主要使用LASTIP 模擬軟體探討p-type AlInAs 電子阻礙層對光纖通訊用1.55-μm AlGaInAs-InP
多量子井雷射性能的影響，並輔以電子溢流微觀的物理現象來加以解釋量子井個數與其性能之間的關聯。在我
們的研究中可以觀察到當結構在p-type 加上AlInAs 阻礙層之後，其性能在五個量子井以下有明顯提昇的現象;
而在五個量子井以上則與原始結構相當地接近，故從中我們可以定量地得到電子阻礙層、量子井個數與活性層
中電子侷限的狀況彼此之間的關聯。
關聯: 2004年台灣光電科技研討會, paper PA-SA1-17
顯示於類別:[物理學系] 會議論文

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