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題名: Simulation and Analysis of Optical Characteristics of GaN Micro-LEDs
作者: Yen, Sheng-Horng;Yen, Rong-Chia;Chen, Bo-Jean;Chen, Mei-Ling;Kuo, Yen-Kuang;Pong, Bao-Jen
貢獻者: 物理學系
關鍵詞: Micro-LEDs;Optical properties;Numerical simulation;APSYS
日期: 2005
上傳時間: 2012-07-19T01:50:15Z
摘要: 本文提出由實驗與使用APSYS模擬軟體所得到GaN Micro-LEDs在不同元件大小時的發
光波長藍位移的結果，並由此分析探討在不同元件大小時的發光波長藍位移的機制。模擬結果顯示在元
件大小由2.7 μm 增加到13.3 μm 時，發光波長藍位移值會由62.3 meV 逐漸減小為59.1 meV。在與模擬情
況具有相同有效截面積時，實驗結果也發現當元件截面積變大時，波長最大藍位移值的確呈現逐漸減小
的趨勢，但實驗得到藍位移值則是由87.5 meV 變化至52.9 meV。我們認為，造成不同元件大小的藍位移
變化的主要因素有二。一方面當元件越小時，每單位電流活性區所增加之溫度越大，亦即熱效應的影響
越大；然而當元件越大時，其側向電阻也越大，這會使紅位移的現象變得比較明顯。
關聯: 2005年台灣光電科技研討會, paper PA-FR1-065
顯示於類別:[物理學系] 會議論文

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