English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 6480/11652
Visitors : 20273166      Online Users : 310
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Adv. Search
LoginUploadHelpAboutAdminister

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/12604

Title: Simulation and Analysis of Optical Characteristics of GaN Micro-LEDs
Authors: Yen, Sheng-Horng;Yen, Rong-Chia;Chen, Bo-Jean;Chen, Mei-Ling;Kuo, Yen-Kuang;Pong, Bao-Jen
Contributors: 物理學系
Keywords: Micro-LEDs;Optical properties;Numerical simulation;APSYS
Date: 2005
Issue Date: 2012-07-19T01:50:15Z
Abstract: 本文提出由實驗與使用APSYS模擬軟體所得到GaN Micro-LEDs在不同元件大小時的發
光波長藍位移的結果,並由此分析探討在不同元件大小時的發光波長藍位移的機制。模擬結果顯示在元
件大小由2.7 μm 增加到13.3 μm 時,發光波長藍位移值會由62.3 meV 逐漸減小為59.1 meV。在與模擬情
況具有相同有效截面積時,實驗結果也發現當元件截面積變大時,波長最大藍位移值的確呈現逐漸減小
的趨勢,但實驗得到藍位移值則是由87.5 meV 變化至52.9 meV。我們認為,造成不同元件大小的藍位移
變化的主要因素有二。一方面當元件越小時,每單位電流活性區所增加之溫度越大,亦即熱效應的影響
越大;然而當元件越大時,其側向電阻也越大,這會使紅位移的現象變得比較明顯。
Relation: 2005年台灣光電科技研討會, paper PA-FR1-065
Appears in Collections:[物理學系] 會議論文

Files in This Item:

File SizeFormat
index.html0KbHTML369View/Open


All items in NCUEIR are protected by copyright, with all rights reserved.

 


DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback