National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/12635
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题名: Utilization of Polar-matched AlInGaN Electron-blocking Layer in 405-nm InGaN-based Laser Diodes
作者: Lu, Ying-Chung;Tsai, Miao-Chan;Chen, Mei-Ling;Kuo, Yen-Kuang
贡献者: 物理學系
日期: 2008
上传时间: 2012-07-19T01:51:10Z
關聯: 2008年台灣光電科技研討會, paper Sat-P2-184
显示于类别:[物理學系] 會議論文

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