English
|
正體中文
|
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 6507/11669
造訪人次 : 30088683 線上人數 : 873
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部NCUEIR
理學院
光電科技研究所
--會議論文
進階搜尋
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於NCUEIR
‧
管理
National Changhua University of Education Institutional Repository
>
理學院
>
光電科技研究所
>
會議論文
>
Item 987654321/13188
資料載入中.....
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/13188
題名:
Improvement of A-Plane InN Characteristics With GaN Double Buffer Layers
作者:
Lo, Yun-Yo
;
Huang, Man-Fang
;
Liang, Yu-Chi
;
Kuan, Chen-Chung
;
Fan, Jenn-Chyuan
貢獻者:
光電科技研究所
日期:
2009
上傳時間:
2012-08-07T06:21:07Z
關聯:
8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8) (Jeju, Korea) MR-29: 192
顯示於類別:
[光電科技研究所] 會議論文
文件中的檔案:
沒有與此文件相關的檔案.
在NCUEIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
回饋