English
|
正體中文
|
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 6507/11669
造訪人次 : 29720436 線上人數 : 412
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部NCUEIR
工學院
電子工程學系
--國科會計畫
進階搜尋
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於NCUEIR
‧
管理
National Changhua University of Education Institutional Repository
>
工學院
>
電子工程學系
>
國科會計畫
>
Item 987654321/13988
資料載入中.....
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/13988
題名:
具有極薄高銦成份通道的高電子遷移率電晶體之研究(I)
Study of High Electron Mobility Transistors with an Ultra-Thin High-Indium-Composition Channel(I)
作者:
吳正信
貢獻者:
電子工程學系
關鍵詞:
高電子遷移率電晶體
;
δ-摻雜
;
分子束磊晶
日期:
2007
上傳時間:
2012-09-10T02:35:16Z
出版者:
行政院國家科學委員會
摘要:
本計畫在探討具有極薄高銦組成通道層的高電子遷移率電晶體,研究內容包括:以 APSYS 軟體設計元件結構並模擬分析相關特性,使用MBE 成長所需之元件磊晶,元件製作以及直流與高頻特性量測。首先我們利用APSYS 軟體,深入模擬分析元件特性。然後以MBE 技術成長極薄高應變的InAs(或是具有很高的In%值的InGaAs)通道層,方法從幾方面著手,包括:(1) 磊晶成長溫度、V/III 比、以及成長速率等相關磊晶條件參數,(2)成長InAs 磊晶層時,摻雜Sb 作為surfactant,(3) 加入特殊設計的磊晶原子層。最後製作高電子遷移率電晶體,並量測分析其元件特性(直流與高頻電性)。
關聯:
國科會計畫, 計畫編號: NSC96-2221-E018-018; 研究期間: 9608-9707
顯示於類別:
[電子工程學系] 國科會計畫
文件中的檔案:
檔案
大小
格式
瀏覽次數
2050301012003.pdf
89Kb
Adobe PDF
406
檢視/開啟
在NCUEIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
回饋