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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/13988

Title: 具有極薄高銦成份通道的高電子遷移率電晶體之研究(I)
Study of High Electron Mobility Transistors with an Ultra-Thin High-Indium-Composition Channel(I)
Authors: 吳正信
Contributors: 電子工程學系
Keywords: 高電子遷移率電晶體;δ-摻雜;分子束磊晶
Date: 2007
Issue Date: 2012-09-10T02:35:16Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: 本計畫在探討具有極薄高銦組成通道層的高電子遷移率電晶體,研究內容包括:以 APSYS 軟體設計元件結構並模擬分析相關特性,使用MBE 成長所需之元件磊晶,元件製作以及直流與高頻特性量測。首先我們利用APSYS 軟體,深入模擬分析元件特性。然後以MBE 技術成長極薄高應變的InAs(或是具有很高的In%值的InGaAs)通道層,方法從幾方面著手,包括:(1) 磊晶成長溫度、V/III 比、以及成長速率等相關磊晶條件參數,(2)成長InAs 磊晶層時,摻雜Sb 作為surfactant,(3) 加入特殊設計的磊晶原子層。最後製作高電子遷移率電晶體,並量測分析其元件特性(直流與高頻電性)。
Relation: 國科會計畫, 計畫編號: NSC96-2221-E018-018; 研究期間: 9608-9707
Appears in Collections:[電子工程學系] 國科會計畫

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