National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/13988

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Title:	具有極薄高銦成份通道的高電子遷移率電晶體之研究(I) Study of High Electron Mobility Transistors with an Ultra-Thin High-Indium-Composition Channel(I)
Authors:	吳正信
Contributors:	電子工程學系
Keywords:	高電子遷移率電晶體;δ-摻雜;分子束磊晶
Date:	2007
Issue Date:	2012-09-10T02:35:16Z
Publisher:	行政院國家科學委員會
Abstract:	本計畫在探討具有極薄高銦組成通道層的高電子遷移率電晶體，研究內容包括：以 APSYS 軟體設計元件結構並模擬分析相關特性，使用MBE 成長所需之元件磊晶，元件製作以及直流與高頻特性量測。首先我們利用APSYS 軟體，深入模擬分析元件特性。然後以MBE 技術成長極薄高應變的InAs(或是具有很高的In%值的InGaAs)通道層，方法從幾方面著手，包括：(1) 磊晶成長溫度、V/III 比、以及成長速率等相關磊晶條件參數，(2)成長InAs 磊晶層時，摻雜Sb 作為surfactant，(3) 加入特殊設計的磊晶原子層。最後製作高電子遷移率電晶體，並量測分析其元件特性(直流與高頻電性)。
Relation:	國科會計畫, 計畫編號: NSC96-2221-E018-018; 研究期間: 9608-9707
Appears in Collections:	[eedept] NSC Projects

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