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Title: 短通道金氧半電晶體內之電場分析
Authors: 陳勛祥
Contributors: 電子工程學系
Keywords: 矩通道;金氧半電晶体;電場分析;飽合區;退化區;橫向電場
MOSFET元件
Date: 1990
Issue Date: 2012-09-10T02:39:42Z
Publisher: 國立清華大學
Abstract: 本文主要是利用MOSFET元件在線性區, 飽合點的電流連續, 及飽合區電場, 電壓關系式聯立. 利用詁帶方式求得MOSFET元件在通道內的表面電壓, 橫向電場, 從向電場,及達到飽合速度后的電流. 然后由MOSFET元件熱載子加速破壞時的橫向電場在通道內的分布情況, 由橫向電場決定MOSFET元件通道被破壞的長度, 通常在橫向電場大於10V/cm 時便會產生累積崩潰, 所以當通到內橫向電場大於10 V/cm 時便假設會有破壞產生. 而決定熱載子加速破壞后MOSFET退化區的長度. 如果只簡單的由MOSFET元件臨界電壓的變化以線性區模式來模擬MOSFET元件在退化前, 退化后在線性區的I-V, 結果發現退化后的I-V與實際所測得MOSFET元件差異很大, 而要正確的模擬退化后MOSFET 元件在線性區的 I-V 則臨界電壓必須隨閘極電壓而變(即考慮D 在能隙內的分布) 而由臨界電壓隨閘極電壓變化情況, 可求得退化區其D 在能隙內的分佈. 若假設MOSFET元件在退化前其臨界電壓即是閘極電壓的函數, 再由MOSFET元件熱載子加速破壞時在基板所測量的基板所測量的基板電流來推測MOSFET元件件退化區的退化情況(即推測D Q 的增量), 利用線性區模式來求MOSFET元件退化前, 退化后在線性區的I -V, 則對不同的加速破壞情形均可得到很正確的結果.
Relation: 碩士, 國立清華大學電機工程學系
Appears in Collections:[電子工程學系] 專書

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