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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/14012

Title: MOS場效電晶體低塭電學特性分析
MOSFET characteristics at low temperature
Authors: 陳勛祥
Contributors: 電子工程學系
Keywords: MOS場效電晶體;臨界電壓;短通道;凍結效應;低摻雜汲極;串連電組
MOSFET;Threshold voltage;Short channel;Freeze out effect;LDD;Series resistance
Date: 1998
Issue Date: 2012-09-10T02:39:58Z
Publisher: 國立清華大學
Abstract: 在本論文中, 我們首先討論了不均勻摻雜濃度基底的MOSFET元件其臨界電壓
隨溫度變化的情形。 在低溫下必須考慮載子的凍結效應。 論文中提出了一個
依據臨界電壓的定義, 從實驗中的數據求取臨界電壓的新方法。 用這種萃取
方法所得的臨界電壓, 與理論值相當吻合。
在LDD區域處的電阻會隨著偏壓的改變而改變的。 而且它對偏壓的依靠性在
低溫環境下更為顯著。因此, 從量測所得的數據, 便不適用於傳統上用
來萃取元件參數Delta L及RDSc的方法。 因此我們將一個真實的MOSFET元
件分成隨偏壓變化的電阻RLDD(VD), 不隨偏壓變化的電阻RDSc以及
本質MOSFET三部分。 並提出一個新的gD斜率的方法, 由真實的MOSFET元件
中, 分離出隨電壓變化的電阻RLDD(VD)及內含的常態MOSFET元件。 由這個
常態MOSFET元件, 便可用傳統上萃取元件參數Delta L及RDSc的方法,
來求得Delta L及RDSc。 應用於不同的溫度下, Delta L及RDSc隨溫度
的變化以及RLDD(VD) 隨溫度的變化, 便可得到。
元件在飽和偏壓下, 若LDD處的電場過大,載子受到飽和速度的影響,
會使得RS隨汲極電流(或者是閘極偏壓)增加而增加的效應。我們以簡單
的汲極電流的一次方的形式來模擬RS隨汲極電流變化的情形。
以這個隨ID變化的RS值, 來萃取Lsatandvsat值。
Relation: 博士, 國立清華大學電機工程學系
Appears in Collections:[電子工程學系] 專書

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