National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/14012

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Title:	MOS場效電晶體低塭電學特性分析 MOSFET characteristics at low temperature
Authors:	陳勛祥
Contributors:	電子工程學系
Keywords:	MOS場效電晶體;臨界電壓;短通道;凍結效應;低摻雜汲極;串連電組 MOSFET;Threshold voltage;Short channel;Freeze out effect;LDD;Series resistance
Date:	1998
Issue Date:	2012-09-10T02:39:58Z
Publisher:	國立清華大學
Abstract:	在本論文中，我們首先討論了不均勻摻雜濃度基底的MOSFET元件其臨界電壓隨溫度變化的情形。在低溫下必須考慮載子的凍結效應。論文中提出了一個依據臨界電壓的定義，從實驗中的數據求取臨界電壓的新方法。用這種萃取方法所得的臨界電壓，與理論值相當吻合。在LDD區域處的電阻會隨著偏壓的改變而改變的。而且它對偏壓的依靠性在低溫環境下更為顯著。因此，從量測所得的數據，便不適用於傳統上用來萃取元件參數Delta L及RDSc的方法。因此我們將一個真實的MOSFET元件分成隨偏壓變化的電阻RLDD(VD)，不隨偏壓變化的電阻RDSc以及本質MOSFET三部分。並提出一個新的gD斜率的方法，由真實的MOSFET元件中，分離出隨電壓變化的電阻RLDD(VD)及內含的常態MOSFET元件。由這個常態MOSFET元件，便可用傳統上萃取元件參數Delta L及RDSc的方法, 來求得Delta L及RDSc。應用於不同的溫度下， Delta L及RDSc隨溫度的變化以及RLDD(VD) 隨溫度的變化，便可得到。元件在飽和偏壓下，若LDD處的電場過大，載子受到飽和速度的影響，會使得RS隨汲極電流(或者是閘極偏壓)增加而增加的效應。我們以簡單的汲極電流的一次方的形式來模擬RS隨汲極電流變化的情形。以這個隨ID變化的RS值，來萃取Lsatandvsat值。
Relation:	博士, 國立清華大學電機工程學系
Appears in Collections:	[eedept] Books

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