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題名: Comment on“Thermally Stable Ir Schottky Contact on AlGaN/GaN Heterostructure”[Appl. Phys. Lett. 82, 391 (2003)]
作者: Lin, Yow-Jon
貢獻者: 光電科技研究所
關鍵詞: Aluminium compounds;Gallium compounds;Wide band gap semiconductors;Semiconductor heterojunctions;Iridium, Schottky barriers;Semiconductor-metal boundaries;Work function
日期: 2003-08
上傳時間: 2013-10-02T08:35:56Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 83(6): 1272
顯示於類別:[光電科技研究所] 期刊論文

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