National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17371
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题名: Comment on“Thermally Stable Ir Schottky Contact on AlGaN/GaN Heterostructure”[Appl. Phys. Lett. 82, 391 (2003)]
作者: Lin, Yow-Jon
贡献者: 光電科技研究所
关键词: Aluminium compounds;Gallium compounds;Wide band gap semiconductors;Semiconductor heterojunctions;Iridium, Schottky barriers;Semiconductor-metal boundaries;Work function
日期: 2003-08
上传时间: 2013-10-02T08:35:56Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 83(6): 1272
显示于类别:[光電科技研究所] 期刊論文

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