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題名: Comment on “Enhancement of Schottky Barrier Height on AlGaN/GaN Heterostructure by Oxidation Annealing” [Appl. Phys. Lett. 82, 4301 (2003)]
作者: Lin, Yow-Jon;Wu, Kuo-Chen
貢獻者: 光電科技研究所
關鍵詞: Aluminium compounds;Gallium compounds;III-V semiconductors;Wide band gap semiconductors;Schottky barriers;Work function;Electron affinity;Oxidation;Surface diffusion;Vacancies (crystal);Energy gap;Semiconductor heterojunctions;Annealing
日期: 2003-12
上傳時間: 2013-10-02T08:35:58Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 83(25): 5319-5320
顯示於類別:[光電科技研究所] 期刊論文

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