National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17373
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 6507/11669
造访人次 : 30093102      在线人数 : 859
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17373

题名: Comment on “Enhancement of Schottky Barrier Height on AlGaN/GaN Heterostructure by Oxidation Annealing” [Appl. Phys. Lett. 82, 4301 (2003)]
作者: Lin, Yow-Jon;Wu, Kuo-Chen
贡献者: 光電科技研究所
关键词: Aluminium compounds;Gallium compounds;III-V semiconductors;Wide band gap semiconductors;Schottky barriers;Work function;Electron affinity;Oxidation;Surface diffusion;Vacancies (crystal);Energy gap;Semiconductor heterojunctions;Annealing
日期: 2003-12
上传时间: 2013-10-02T08:35:58Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 83(25): 5319-5320
显示于类别:[光電科技研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案 大小格式浏览次数
index.html0KbHTML596检视/开启


在NCUEIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈