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題名: Comment on “Interpretation of Fermi Level Pinning on 4H–SiC using Synchrotron Photoemission Spectroscopy” [Appl. Phys. Lett. 84, 538 (2004)]
作者: Lin, Yow-Jon;Tseng, Chih-Kuo
貢獻者: 光電科技研究所
關鍵詞: Silicon compounds;Wide band gap semiconductors;Fermi level;Schottky barriers;X-ray photoelectron spectra
日期: 2004-09
上傳時間: 2013-10-02T08:36:03Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 85(13): 2661-2662
顯示於類別:[光電科技研究所] 期刊論文

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