National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17378
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题名: Comment on “Interpretation of Fermi Level Pinning on 4H–SiC using Synchrotron Photoemission Spectroscopy” [Appl. Phys. Lett. 84, 538 (2004)]
作者: Lin, Yow-Jon;Tseng, Chih-Kuo
贡献者: 光電科技研究所
关键词: Silicon compounds;Wide band gap semiconductors;Fermi level;Schottky barriers;X-ray photoelectron spectra
日期: 2004-09
上传时间: 2013-10-02T08:36:03Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 85(13): 2661-2662
显示于类别:[光電科技研究所] 期刊論文

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