National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17414
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題名: Comment on “p-type Behavior from Sb-doped ZnO Heterojunction Photodiodes” [ Appl. Phys. Lett. 88, 112108 (2006) ]
作者: Lin, Yow-Jon;Wu, Ping-Hsun;Liu, Day-Shan
貢獻者: 光電科技研究所
關鍵詞: Antimony;Fermi level;Heavily doped semiconductors;Hole density;II-VI semiconductors;Ohmic contacts;Photodiodes;p-n heterojunctions;Schottky barriers;Schottky diodes;Semiconductor thin films;Thin film devices;Valence bands;Wide band gap semiconductors;Zinc compounds
日期: 2007-09
上傳時間: 2013-10-02T08:36:56Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 91(13): 136101
顯示於類別:[光電科技研究所] 期刊論文

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