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Item 987654321/17424
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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17424
題名:
Comment on “Valence Band Offset of ZnO/GaAs Heterojunction Measured by x-ray Photoelectron Spectroscopy” [ Appl. Phys. Lett. 92, 012104 (2008) ]
作者:
Lin, Yow-Jon
貢獻者:
光電科技研究所
關鍵詞:
Binding energy
;
Fermi level
;
Gallium arsenide
;
III-V semiconductors
;
II-VI semiconductors
;
Semiconductor heterojunctions
;
Valence bands
;
Work function
;
X-ray photoelectron spectra
;
Zinc compounds
日期:
2008-08
上傳時間:
2013-10-02T08:37:04Z
出版者:
American Institute of Physics
關聯:
Applied Physics Letters, 93(4): 046101
顯示於類別:
[光電科技研究所] 期刊論文
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