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題名: Comment on “Valence Band Offset of ZnO/GaAs Heterojunction Measured by x-ray Photoelectron Spectroscopy” [ Appl. Phys. Lett. 92, 012104 (2008) ]
作者: Lin, Yow-Jon
貢獻者: 光電科技研究所
關鍵詞: Binding energy;Fermi level;Gallium arsenide;III-V semiconductors;II-VI semiconductors;Semiconductor heterojunctions;Valence bands;Work function;X-ray photoelectron spectra;Zinc compounds
日期: 2008-08
上傳時間: 2013-10-02T08:37:04Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 93(4): 046101
顯示於類別:[光電科技研究所] 期刊論文

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