National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17424
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 6498/11670
造访人次 : 25679169      在线人数 : 71
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17424

题名: Comment on “Valence Band Offset of ZnO/GaAs Heterojunction Measured by x-ray Photoelectron Spectroscopy” [ Appl. Phys. Lett. 92, 012104 (2008) ]
作者: Lin, Yow-Jon
贡献者: 光電科技研究所
关键词: Binding energy;Fermi level;Gallium arsenide;III-V semiconductors;II-VI semiconductors;Semiconductor heterojunctions;Valence bands;Work function;X-ray photoelectron spectra;Zinc compounds
日期: 2008-08
上传时间: 2013-10-02T08:37:04Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 93(4): 046101
显示于类别:[光電科技研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案 大小格式浏览次数
index.html0KbHTML410检视/开启


在NCUEIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 


DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈