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題名: Comment on “Deep Ultraviolet and Near Infrared Photodiode Based on n-ZnO/p-silicon Nanowire Heterojunction at Low Temperature” [ Appl. Phys. Lett. 94, 013503 (2009) ]
作者: Lin, Yow-Jon
貢獻者: 光電科技研究所
關鍵詞: Elemental semiconductors;II-VI semiconductors;Nanowires;Photodiodes;Photoresists;Semiconductor heterojunctions;Semiconductor quantum wires;Silicon;Sputtered coatings;Zinc compounds
日期: 2009-04
上傳時間: 2013-10-02T08:37:08Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 94(16): 166102
顯示於類別:[光電科技研究所] 期刊論文

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