English
|
正體中文
|
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 6507/11669
造訪人次 : 29717093 線上人數 : 394
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部NCUEIR
理學院
光電科技研究所
--期刊論文
進階搜尋
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於NCUEIR
‧
管理
National Changhua University of Education Institutional Repository
>
理學院
>
光電科技研究所
>
期刊論文
>
Item 987654321/17428
資料載入中.....
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17428
題名:
Comment on “Deep Ultraviolet and Near Infrared Photodiode Based on n-ZnO/p-silicon Nanowire Heterojunction at Low Temperature” [ Appl. Phys. Lett. 94, 013503 (2009) ]
作者:
Lin, Yow-Jon
貢獻者:
光電科技研究所
關鍵詞:
Elemental semiconductors
;
II-VI semiconductors
;
Nanowires
;
Photodiodes
;
Photoresists
;
Semiconductor heterojunctions
;
Semiconductor quantum wires
;
Silicon
;
Sputtered coatings
;
Zinc compounds
日期:
2009-04
上傳時間:
2013-10-02T08:37:08Z
出版者:
American Institute of Physics
關聯:
Applied Physics Letters, 94(16): 166102
顯示於類別:
[光電科技研究所] 期刊論文
文件中的檔案:
檔案
大小
格式
瀏覽次數
index.html
0Kb
HTML
571
檢視/開啟
在NCUEIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
回饋