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Item 987654321/17440
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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17440
題名:
五環素沉積於有無氧電漿處理之氧化銦錫的歐姆接觸特性分析
Pentacene Ohmic Contact on Indium Tin Oxide Surfaces with and without Oxygen Plasma Treatment
作者:
曾建洲
;
朱建安
;
林祐仲
貢獻者:
光電科技研究所
關鍵詞:
氧化銦錫
;
X光光電子能譜儀
;
界面
;
真空蒸鍍
Indium tin oxide
;
X-ray photoelectron spectroscopy
;
Interfaces
;
Vacuum evaporation
日期:
2010-06
上傳時間:
2013-10-02T08:37:17Z
出版者:
臺灣真空科技學會
摘要:
本研究討利用氧電漿處理氧化銦錫(ITO)薄膜表面後對五環素(Pentacene)歐姆交處的影響。實驗中利用傳輸線模型(Transfer Mength Lethod)求出特徵接觸電阻,並使用光譜法和電特性量測法觀測五環素/經氧電漿處理氧化銦錫以及五環素/未經氧電漿處理氧化銦錫的光電特性。實驗結果顯示,氧化銦錫經氧電漿處理後會導致五環素/氧化銦錫界面處的五環素層和氧化銦錫表面吸附的氧離子結合[及產生自我摻雜(Self-doping)效應],而使近界面處之五環素導電率升高進而降低界面接觸電阻。
關聯:
真空科技, 23(2): 20-25
顯示於類別:
[光電科技研究所] 期刊論文
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