National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17440
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 6507/11669
造访人次 : 30009917      在线人数 : 363
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17440

题名: 五環素沉積於有無氧電漿處理之氧化銦錫的歐姆接觸特性分析
Pentacene Ohmic Contact on Indium Tin Oxide Surfaces with and without Oxygen Plasma Treatment
作者: 曾建洲;朱建安;林祐仲
贡献者: 光電科技研究所
关键词: 氧化銦錫;X光光電子能譜儀;界面;真空蒸鍍
Indium tin oxide;X-ray photoelectron spectroscopy;Interfaces;Vacuum evaporation
日期: 2010-06
上传时间: 2013-10-02T08:37:17Z
出版者: 臺灣真空科技學會
摘要: 本研究討利用氧電漿處理氧化銦錫(ITO)薄膜表面後對五環素(Pentacene)歐姆交處的影響。實驗中利用傳輸線模型(Transfer Mength Lethod)求出特徵接觸電阻，並使用光譜法和電特性量測法觀測五環素/經氧電漿處理氧化銦錫以及五環素/未經氧電漿處理氧化銦錫的光電特性。實驗結果顯示，氧化銦錫經氧電漿處理後會導致五環素/氧化銦錫界面處的五環素層和氧化銦錫表面吸附的氧離子結合[及產生自我摻雜(Self-doping)效應]，而使近界面處之五環素導電率升高進而降低界面接觸電阻。
關聯: 真空科技, 23(2): 20-25
显示于类别:[光電科技研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案 大小格式浏览次数
index.html0KbHTML756检视/开启


在NCUEIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈