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題名: Comment on “Depletion width Measurement in an Organic Schottky Contact using a Metal-semiconductor Field-effect Transistor” [ Appl. Phys. Lett. 91, 083513 (2007) ]
作者: Lin, Yow-Jon
貢獻者: 光電科技研究所
關鍵詞: Localised states;Organic field effect transistors;Organic semiconductors;Schottky barriers;Semiconductor-metal boundaries
日期: 2010-08
上傳時間: 2013-10-02T08:37:20Z
出版者: American Institute of Physics
關聯: Applied Physics Letters, 97(9): 096101
顯示於類別:[光電科技研究所] 期刊論文

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