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題名: 經表面處理氮化鎵之特性研究
Investigated the characteristics of the (NH4)2Sx-treated n-type GaN
作者: 林祐仲
貢獻者: 光電科技研究所
關鍵詞: 歐姆接觸;表面處理;特徵接觸電阻;表面態;蕭特基接觸
Ohmic contact;Surface treatment;Specific contact resistance;Surface state;Schottky contact
日期: 2001
上傳時間: 2013-10-02T08:38:40Z
出版者: 國立中央大學
摘要: 在本次研究中，利用硫化銨 ((NH4) 2Sx) 溶液進行N型氮化鎵 (GaN) 表面處理，於蒸鍍鈦/鋁 (Ti/Al) 金屬後即形成特徵接觸電阻值5.0×10-5 Ω-cm2之歐姆接觸 (ohmic contact)。然後，再將它置於高溫爐在氮氣環境下，以300oC進行熱處理3分鐘即可獲得低的特徵接觸電阻值3.0×10-6 Ω-cm2 。另外，對於氮化鎵硫化處理效應更以各項實驗來加以驗證與推算，其包括：能夠完全去除氮化鎵表面原生氧化層，並且改善氮化鎵表面特性及提高表面載子濃度，以致於能夠形成非經熱處理之歐姆接觸、於氮化鎵表面形成鎵-硫(Ga-S) 鍵結防止表面再氧化、能夠減少表面態密度及表面複合速度和增加光子激發光光譜 (photoluminescence) 之強度、能獲得較好的蕭特基接觸 (Schottky contact) 特性。
關聯: 博士; 國立中央大學光電科學研究所
顯示於類別:[光電科技研究所] 專書

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