National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17481
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題名: Ohmic Performance Improvement of N-type GaN by (NH4)2Sx Treatment
作者: Lin, Yow-Jon;Lee, C. T.
貢獻者: 光電科技研究所
日期: 2000-12
上傳時間: 2013-10-02T08:39:03Z
出版者: International Electron Devices and Materials Symposia
關聯: 2000 International Electron Devices and Materials Symposia, : 300
顯示於類別:[光電科技研究所] 會議論文

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