National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17487
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題名: Study the Interfacial Layer for Ti/(NH4)2Sx-treated N-type GaN by using X-ray Hotoelectron Spectroscopy Measurement
作者: Lee, C. T.;Lin, Yow-Jon;Lee, H. Y.;Lin, C. H.;Lin, S. C.
貢獻者: 光電科技研究所
日期: 2002
上傳時間: 2013-10-02T08:39:07Z
出版者: 光譜技術與表面科學研討會
關聯: 第二十屆光譜技術與表面科學研討會
顯示於類別:[光電科技研究所] 會議論文

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