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Item 987654321/17493
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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17493
題名:
Band Bending on the Reactive-ion-etched and (NH4)2Sx-treated Mg-doped P-GaN Surface
作者:
Lin, Yow-Jon
;
Hsu, C. W.
;
Ker, Q.
;
Li, Z. D.
貢獻者:
光電科技研究所
日期:
2003-07
上傳時間:
2013-10-02T08:39:11Z
出版者:
光譜技術與表面科學研討會
關聯:
第二十一屆光譜技術與表面科學研討會, : 28
顯示於類別:
[光電科技研究所] 會議論文
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