National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17493
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題名: Band Bending on the Reactive-ion-etched and (NH4)2Sx-treated Mg-doped P-GaN Surface
作者: Lin, Yow-Jon;Hsu, C. W.;Ker, Q.;Li, Z. D.
貢獻者: 光電科技研究所
日期: 2003-07
上傳時間: 2013-10-02T08:39:11Z
出版者: 光譜技術與表面科學研討會
關聯: 第二十一屆光譜技術與表面科學研討會, : 28
顯示於類別:[光電科技研究所] 會議論文

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