English
|
正體中文
|
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 6507/11669
造訪人次 : 29711679 線上人數 : 299
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部NCUEIR
理學院
光電科技研究所
--會議論文
進階搜尋
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於NCUEIR
‧
管理
National Changhua University of Education Institutional Repository
>
理學院
>
光電科技研究所
>
會議論文
>
Item 987654321/17508
資料載入中.....
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17508
題名:
Schottky Barrier Heights of Ni/Au Contacts to Heavily Mg-doped P-GaN Films with and Without (NH4)2Sx Treatment from Current-voltage Measurements
作者:
You, Chang-Feng
;
Chu, Yow-Lin
;
Lin, Yow-Jon
貢獻者:
光電科技研究所
日期:
2005-11
上傳時間:
2013-10-02T08:39:22Z
出版者:
電子元件暨材料研討會
關聯:
2005年電子元件暨材料研討會
顯示於類別:
[光電科技研究所] 會議論文
文件中的檔案:
沒有與此文件相關的檔案.
在NCUEIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
回饋