National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17515
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题名: Formation Mechanisms of Nonalloyed Ohmic Contacts to P-type AlGaN with the Capping Layer
作者: Lin, Yow-Jon
贡献者: 光電科技研究所
日期: 2006-01
上传时间: 2013-10-02T08:39:27Z
出版者: 中華民國物理學會
關聯: 2006中華民國物理學會年會暨研究成果發表會
显示于类别:[光電科技研究所] 會議論文

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