National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17515
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 6507/11669
造訪人次 : 29923556      線上人數 : 351
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 進階搜尋

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/17515

題名: Formation Mechanisms of Nonalloyed Ohmic Contacts to P-type AlGaN with the Capping Layer
作者: Lin, Yow-Jon
貢獻者: 光電科技研究所
日期: 2006-01
上傳時間: 2013-10-02T08:39:27Z
出版者: 中華民國物理學會
關聯: 2006中華民國物理學會年會暨研究成果發表會
顯示於類別:[光電科技研究所] 會議論文

文件中的檔案:

沒有與此文件相關的檔案.



在NCUEIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋