National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/17558
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題名: 鋁摻雜氧化鋅奈米粒子光電特性之研究
Optical and Electrical Properties of Al-doped ZnO Nanoparticles
作者: 陳耀銘;林祐仲
貢獻者: 光電科技研究所
關鍵詞: 溶膠-凝膠法;鋁摻雜;多聲子散射;光響應
Sol-gel;Al-doped;Multiple phonons scattering;Photoresponse
日期: 2011-12
上傳時間: 2013-10-08T02:35:43Z
出版者: 臺灣真空科技學會
摘要: 本研究利用溶膠- 凝膠法製作氧化鋅 (ZnO) 奈米粒子，探討摻雜不同濃度的鋁 (Al) 對ZnO 奈米粒子特性的影響；並利用 ZnO 奈米粒子製作光檢測器，探討元件光響應特性。經由掃描式電子顯微鏡、X 光繞射分析、光致螢光光譜以及拉曼光譜量測得知奈米粒子的材料特性。實驗結果顯示，將 Al 摻入 ZnO 後，因 Al 與 Zn 離子半徑不同影響原子排列結構導致結晶性變差，進而增加多聲子散射致使非輻射復合機率增加。此外，觀測有無摻 Al 的 ZnO 所製作之光檢測器，結果顯示摻 Al 的元件電流值較未摻 Al 的元件大，其原因為 Al3+ 取代 Zn2+會多出一個自由電子，使得載子濃度增加以及電阻率下降。然而，當 Al 摻雜濃度高於 5% 時，多聲子散射現象增加而使得電阻率再度上升。另外，關於元件光響應的反應速度探討得知，因摻雜 Al 的 ZnO 具有較多陷捕中心，因此摻 Al 的元件反應時間常數較未摻 Al 的元件大。
This study investigates the effect of Al content on the optical, electrical a nd structural properties of the sol-gel Al-doped ZnO nanoparticles by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, photoluminescence and Raman scattering measurements. When more Al are substituted into the ZnO system the difference in ionic radii of Zn2+ and Al3+ starts playing an increasingly important role causing the presence of the multiple phonons scattering stress in the Al-doped ZnO nanoparticles. It is shown that the multiple phonons scattering may lead to an increase in the probability of nonradiative recombination. The dark current and photocurrent of the Al-doped ZnO device are larger than those of the ZnO device, due to a combined effect of the increased substitutional-Al (AlZn) density and the increased carrier concentration. However above 5% Al doping, resistivity again increases with the increase in the multiple phonons scattering processes. The photoresponse studies show that the time constants of the Al-doped ZnO device are larger than those of the ZnO device. This is because of the higher trap density of the Al-doped ZnO device than the ZnO device.
關聯: 真空科技, 24(4): 17-23
顯示於類別:[光電科技研究所] 期刊論文

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