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題名: 中部科學園區推動計畫：奈米光電元件的製作與應用之研究
Fabrication and Applications of Nano-Opto-Electronic Devices
作者: 吳仲卿;林秋薰;石豫臺;林得裕
貢獻者: 物理學系
關鍵詞: 奈米光電元件;格式化基版;半導體量子點;低維度元件;電子束微影術;乾式離子蝕刻
日期: 2002
上傳時間: 2014-08-06T05:03:14Z
摘要: 本計畫的執行主要在開發研究奈米光電元件的部分：包括 30 奈米以內直徑量子點發光元件的製作；間距在 100 奈米及更小光柵的製作，主要用途在濾波及波長選擇器的應用；及兆赫波感測元件的製作。本計畫在製程上是使用電子束微影術的技術，結合乾式離子蝕刻機。尤其電子束微影的技術，配合舉離製程或結合蝕刻技術，目前製程上的解析度可達 25 奈米的點陣列、及 80 奈米間距的光柵的能力，製作有關格式化基版及元件，開發及研製奈米級光電元件。並製作奈米點陣列，進行功能性場效及發光顯示器的研究及應用，及製作低維結構以進行區域性量子結構的特性量測。
關聯: 國科會計畫, 計畫編號: NSC91-2218-E018-003; 研究期間: 9112-9212
顯示於類別:[物理學系] 國科會計畫

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