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http://ir.ncue.edu.tw/ir/handle/987654321/18846
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| 題名: | 高密度磁阻式隨機存取記憶體之核心技術研發(II) |
| 作者: | 吳仲卿 |
| 貢獻者: | 物理學系 |
| 日期: | 2005
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| 上傳時間: | 2014-08-06T05:04:00Z
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| 摘要: | 本計畫的執行主要在研究離子蝕刻應用於高密度磁阻式隨機存取記憶體的製作技術：包括微米及奈米級元件之多層膜蝕刻測試，尤其針對擁有高磁阻之磁穿隧(Magnetic tunnel junction)多層膜為主。本計畫在製程上使用電子束微影術透過舉離製程，在多層膜材料上製作微米及奈米級圖形之元件遮罩，再使用乾式離子蝕刻系統(ion-milling system)將圖形轉移至多層膜材料中，將探討離子蝕刻在製程中所面臨的挑戰及解決方法，並展示此核心技術確實在製作磁穿隧元件之過程扮演舉足輕重之角色。 |
| 關聯: | 國科會計畫, 計畫編號: NSC94-2623-7018-001-IT; 研究期間: 9404-9503 |
| 顯示於類別: | [物理學系] 國科會計畫
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