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題名: 高良率記憶體內建自我冗餘分析與修復方法之研究
Study on High-Yield Built-In Redundancy-Analysis and Self-Repair for Memory
作者: 黃宗柱
貢獻者: 電子工程學系 
日期: 2011
上傳時間: 2014-10-27T08:07:19Z
出版者: 行政院國家科學委員會
關聯: 國科會計畫, 計畫編號: NSC100-2221-E018-014; 研究期間: 1000-10107
顯示於類別:[電子工程學系] 國科會計畫

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