National Changhua University of Education Institutional Repository : Item 987654321/12449
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題名: Zincblende結構三元氮化物的能帶模擬與分析
作者: 林文偉;郭艷光;劉柏挺
貢獻者: 物理學系
關鍵詞: 光電半導體材料;Zincblende結構三元氮化物
日期: 2003-08
上傳時間: 2012-07-19T01:46:45Z
出版者: 中華民國物理學會
摘要: 本文使用CASTEP 模擬軟體來計算zincblende 結構三元氮化物的能帶，並從能帶間隙的分析
進而探討三元氮化物的材料特性。模擬結果顯示，InxGa1-xN 為直接能隙材料，其直接能隙的彎曲
係數b = 1.379 eV，而間接能隙的b = 1.672 eV。AlxGa1-xN 在Al 濃度小於0.571 時為直接能隙
材料，而Al 濃度大於0.571 時為間接能隙材；直接能隙的彎曲係數b = 0.755 eV，而間接能隙b
= 0.296 eV。AlxIn1-xN 在Al 濃度小於0.244 時為直接能隙材料，而Al 濃度大於0.244 時為間接
能隙材料；直接能隙的彎曲係數b = 2.729 eV，而間接能隙b = 3.624 eV。此外，上述三種三元
氮化物的上價電帶厚度皆比下價電帶厚度大，而下價電帶厚度受Al 濃度的影響較為顯著。
關聯: 物理雙月刊, 25(4): 582-591
顯示於類別:[物理學系] 期刊論文

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